個別半導体の型番 （JIS・EIAJ編）

トランジスタやダイオード等の個別半導体の型番はメーカに寄らず、1S1588, 2SA1015, 2SB56, 2SC945といった共通の型番が付いています。これはもともと「JIS C 7012 半導体素子の形名」という規格に基づいて命名されており、この廃止後は「EIAJ ED-4001 個別半導体デバイスの形名」に基づいています。

途中で規格が変わっていますが（JIS C 7012, EIAJ ED-4001ともに改定されているので実際はもっと多い）骨格は変わっていませんのでまとめて説明したいと思います。

型番の構成は「2SC458B」を例にとると次のようになります。

1. 数字：ここでは「2」
2. 文字：ここでは「S」
3. 文字：ここでは「C」
4. 数字：ここでは「458」
5. 添え字：ここでは「B」

これらについてそれぞれ見ていきます。

まず1項の数字は次のようになります。

複合体（複数の素子が一つのパッケージに入っているもの）では単独素子の接続数を用い、接続数の異なる素子がある場合はその最大のものを使います。
JIS C 7012:1982からは異なった素子が合成して機能を果たす場合は接続数の合計を用いるという規定が追加されました。

規格ではこうなっているのですが、実際はダイオードが1, デュアルゲートFETが3, 残りは2と考えていればほぼ間違いありません。ややこしいデバイスは大抵メーカ独自の型番が使われています。

第2項の文字は半導体を表す「S」に固定です。
EIAJ ED-4001ではトランジスタアレイが定義され、その場合は「A」になります。この時は第1項も素子数に変わります。

第3項の文字は細分類を表すのですが文言が「極性および用途」⇒「種別」⇒「主な機能及び構造」と変化しており、若干の混乱をきたしています。

記載の無いデバイスは第3項を省略します。

F,G,Hはまったく異なるものに割り当てられてしまっています。
前のものが使われなくなってから切り替えているはずなので通常は困ることは無いのでしょうが、古いものを調べていると「あれっ」と思うことがあります。

せめて数字が重複しないようにしてくれていれば良かったのですが...

第4項の数字は第1～3項で決まる種類ごとに11から連番で付けていきます。
登録順なので数字に意味はありません。番号が大きいほど新しいという目安になるくらいです。また番号はメーカごとの登録なので、同じ仕様でもメーカが異なれば別番号ですし、型番でメーカが特定できます。

たまに特性の似たものをまとめて登録するためか、連番で兄弟デバイスがいたりします。

第5項の添え字は必要に応じて以下のような文字が付加されます。

• 変更を加えたときにA,B,C,D,E,F,G,H,J,Kと順につけます。最初の例の2SC458Bは2度の変更がなされていることがわかります。
• ダイオードで電気的・機械的に同一だが極性が逆のものにはRをつけます。
• マイクロ波用ダイオードでMをつけることがあります（詳細省略）。

これらは組み合わされて使用されることもあります。例えば逆極性のものが変更された場合は「AR」などとします。

さらに「‐」（ハイフン）に続けて付帯形名を付けることもできます。
たとえば2SC1815には「-O」「-Y」「-GR」「-BL」などが付いてh_FEのランク分けがされています。ただこれは決まった付け方があるわけではないのでメーカによって異なりますし、同メーカでも品種によって異なることもあります。

とりあえず日本で主流の命名法を書いてみました。細部をはしょったり意訳している部分もありますので正確なところは原資料にあたってください。

あと数回にわたって海外で広く用いられている命名法についても書く予定です。