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個別半導体の型番 （JEDEC編）

2017-08-23 09:36 — asano

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今回は主にアメリカで使われている命名法について書いてみたいと思います。

それはJESD370B Designation System for Semiconductor Devicesという規格に基づいたもので、元々RS-370-Bと呼ばれていたものがRS-370-B ⇒ EIA-370-B ⇒ JESD370Bと変わってきています。

型番の構成は「2N2222A」を例にとると次のようになります。

  1. 数字：ここでは「2」
  2. 文字：ここでは「N」
  3. 数字：ここでは「2222」
  4. 文字：ここでは「A」

それぞれについて見ていきます。

まず第1項の数字は（有効電気的接続 - 1）となります。同じ素子が複数ある場合は1素子の接続数を用い、接続数が異なるものがある場合は最大のものを用います。「4」を超える（接続数が5を超える）場合は「4」とします。

個別半導体の型番 （JIS・EIAJ編）

2017-08-22 21:26 — asano

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トランジスタやダイオード等の個別半導体の型番はメーカに寄らず、1S1588, 2SA1015, 2SB56, 2SC945といった共通の型番が付いています。これはもともと「JIS C 7012 半導体素子の形名」という規格に基づいて命名されており、この廃止後は「EIAJ ED-4001 個別半導体デバイスの形名」に基づいています。

途中で規格が変わっていますが（JIS C 7012, EIAJ ED-4001ともに改定されているので実際はもっと多い）骨格は変わっていませんのでまとめて説明したいと思います。

型番の構成は「2SC458B」を例にとると次のようになります。

  1. 数字：ここでは「2」
  2. 文字：ここでは「S」
  3. 文字：ここでは「C」
  4. 数字：ここでは「458」
  5. 添え字：ここでは「B」

これらについてそれぞれ見ていきます。

まず1項の数字は次のようになります。

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